泰科天润半导体科技(北京)有限公司
企业简介

泰科天润半导体科技(北京)有限公司 main business:研发、批发半导体器件;销售自行开发后的产品、机械设备、五金、交电;佣金代理(拍卖除外);货物进出口、技术进出口、代理进出口(不涉及国营贸易管理商品;涉及配额许可证管理商品的按国家有关规定办理申请手续);技术咨询、技术培训、技术服务、技术转让;生产碳化硅半导体功率器件。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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泰科天润半导体科技(北京)有限公司的工商信息
  • 110108013793154
  • 911101085731718351
  • 开业
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2011年04月21日
  • 陈彤
  • 13639.630000
  • 2011年04月21日 至 2041年04月20日
  • 北京市工商行政管理局海淀分局
  • 2016年10月11日
  • 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
  • 研发、批发半导体器件;销售自行开发后的产品、机械设备、五金、交电;佣金代理(拍卖除外);货物进出口、技术进出口、代理进出口(不涉及国营贸易管理商品;涉及配额许可证管理商品的按国家有关规定办理申请手续);技术咨询、技术培训、技术服务、技术转让;生产碳化硅半导体功率器件。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
泰科天润半导体科技(北京)有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 www.globalpowertech.cn
网站 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 http://www.globalpowertech.cn
泰科天润半导体科技(北京)有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 10937491 图形 2012-05-18 电子芯片;晶体管(电子);三极管;半导体器件;半导体;芯片(集成电路);发光二极管(LED);变压器;整流器;逆变器(电) 查看详情
2 10937445 泰科天润 2012-05-18 电子芯片;晶体管(电子);三极管;半导体器件;半导体;芯片(集成电路);发光二极管(LED);变压器;整流器;逆变器(电) 查看详情
3 10937473 GLOBAL POWER TECHNOLOGY 2012-05-18 电子芯片;晶体管(电子);三极管;半导体器件;半导体;芯片(集成电路);发光二极管(LED);变压器;整流器;逆变器(电); 查看详情
泰科天润半导体科技(北京)有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106024902A 具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法 2016.10.12 一种具有高阻断特性的SiC基穿通型沟槽MOSFET的制作方法,所制作的MOSFET具有较高的阻断能力
2 CN106024627A 具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法 2016.10.12 一种具有低关态损耗的SiC基超结IGBT的制作方法,所制作的SiC基超结IGBT具有低关态损耗,包括
3 CN103606551B 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 2016.08.17 本发明涉及一种沟槽型半导体器件的制作方法。该方法包括在依次具有第一导电类型的基底、漂移层、沟道层的半
4 CN105470119A 一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法 2016.04.06 本发明公开一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法,包括如下步骤:利用掩膜通过离子注入的方法在N型漂移
5 CN103354208B 一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法 2016.01.06 本发明公开了一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法,该方法包括如下步骤:在SiC第一导电类型的衬底上依次
6 CN105097456A 一种用于碳化硅器件的自对准方法 2015.11.25 本发明公开一种用于碳化硅器件的自对准方法,包括如下步骤:在晶圆上制备裸露的沟道和沟槽;在沟槽的底部和
7 CN105047547A 一种用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法 2015.11.11 本发明公开一种用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:对碳化硅衬底表面待形成对
8 CN105047536A 用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法 2015.11.11 本发明公开一种用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:在碳化硅衬底表面形成图案
9 CN105023835A 介质掩膜的制造方法、利用该掩膜刻蚀或离子注入的方法 2015.11.04 本发明公开一种介质掩膜的制造方法、利用该掩膜刻蚀或离子注入的方法。该介质掩膜制造方法包括:步骤a),
10 CN103606551A 碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 2014.02.26 本发明涉及一种沟槽型半导体器件的制作方法。该方法包括在依次具有第一导电类型的基底、漂移层、沟道层的半
11 CN203351612U 肖特基二极管 2013.12.18 本实用新型涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管包括:第一电极层,位于所述第一电极层上的第一导电类型的
12 CN103354208A 一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法 2013.10.16 本发明公开了一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法,该方法包括如下步骤:在SiC第一导电类型的衬底上依次
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